基于二維 (2D) 納米材料的柔性存儲設備是下一代可穿戴市場的關鍵元素，因為它在數據存儲、處理和通信中發揮著至關重要的作用。用幾納米 (nm) 的二維納米材料實現的超薄存儲器件可以顯著提高存儲密度，從而開發出采用二維納米材料實現的柔性可變電阻存儲器。然而，由于納米材料的弱載流子俘獲特性，使用傳統二維納米材料的存儲器具有局限性。

在韓國科學技術研究院先進復合材料研究所(KIST，Yoon Seok-Jin 院長)，Dong-Ick Son 博士領導的研究團隊宣布開發出一種基于異構的透明和柔性存儲設備。低維超薄納米結構。為此，形成了單層零維(0D)量子點，并將其夾在兩個絕緣的二維六方氮化硼(h-BN)超薄納米材料結構之間。

研究小組通過將具有優異量子限制特性的 0D 量子點引入有源層，控制二維納米材料中的載流子，實現了一種可以成為下一代存儲器候選者的設備。在此基礎上，0D 量子點被塑造成垂直堆疊的復合結構，夾在 2D 六邊形 h-BN 納米材料之間，從而產生透明且靈活的器件。因此，開發的設備即使在彎曲時也能保持 80% 以上的透明度和記憶功能。

Dong-Ick Son 博士表示：“我們通過提出絕緣六方 h-BN 上的量子點堆疊控制技術代替導電石墨烯，奠定了超薄納米復合結構研究的基礎，并顯著揭示了制造和驅動原理下一代存儲設備。” 他接著補充說：“我們計劃在未來將異質低維納米材料組成的堆棧控制技術系統化，并擴大其應用范圍。”

該研究發表在《復合材料 B 部分：工程》上。