當第一代、第二代半半導體資料工藝漸漸逼近物理極限，希望沖破保守半半導體本領瓶頸的第三代半半導體資料變成行業興盛的驕子。

究竟上，海內之以是將半半導體資料以“代”來分別，幾何緣自于跟著半半導體資料的大范圍運用而來的三次財產革新。

第一代半半導體資料以硅（Si）為代辦，其代替了沉重的真空管，激動了以集成通路為中心的微電子財產的迅猛興盛。

第二代半半導體資料以砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb）等為主，磷化銦半半導體萊塞是光通訊體例的要害器件，砷化鎵高速器件更開辟了光導纖維及挪動通訊新財產。

而以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代辦的第三代半半導體資料則靈驗激動著半半導體照明、表露、風力公共汽車等財產的興盛。

從半半導體資料的三項要害參數看，第三代半半導體資料在電子遷徙率（工業氣壓前提下的高頻處事本能）、飽和漂移速度（高壓前提下的高頻處事本能）、禁帶寬窄（器件的耐壓本能、最高處事溫度與光學本能）三項目標上均強于硅資料器件。

個中，最引人注手段是第三代半半導體的“寬禁帶（Wide Band-Gap，WBG）”。高禁帶寬窄的長處是，器件耐高壓、耐高溫，而且功率大、抗輻射、導熱本能強、處事速率快、處事耗費低。

但參數的崇高并不表示著半半導體資料一代更比一代好。究竟上，一、二、三代半半導體資料各有其符合的運用范圍，在將來很長的功夫中，這三代半半導體資料還將并存。

固然硅資料沒有那么牛的參數，但在真實性和完全本能上，暫時還沒有任何半半導體資料不妨和它對抗。動作半半導體行業人士心中的“最終半半導體”，金剛石以至連試驗室都還沒走出。

但同聲咱們不妨看到，跟著氮化鎵資料切入電源處置，復合物半導機制造財產的面貌迎來變換。

復合物半半導體泛指百般不以硅為普通的半半導體資料，常常可分紅三五族半半導體與二六族半半導體。

三五族半半導體由三族的元素鋁、鎵、銦及五族的元素氮、磷、砷、銻等構成。二六族半半導體則是由二族的元素鋅、鎘、汞和六族元素硫、硒、碲產生的復合物。

一切電子擺設都須要電源處置，當氮化鎵敲開電源處置這個宏大商場的大門，復合物半半導體也發端展示出阻擋小覷的貿易后勁。